一种电流求和型CMOS基准电流源

李炜; 蔡敏

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基于温度补偿的方法设计了一种高性能的CMOS基准电流源电路,该电路采用0．35mm N阱 CMOS工艺实现。通过Cadence Spectre工具仿真,结果表明,在-40-85℃的温度范围内,该电路输出电流的温度系数小于40×10-6／℃。在3．3V电源电压下功耗约为1mW,属于低温漂、低功耗的基准电流源。

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来源
《半导体技术》 |2005年第11期|60-63|共4页
作者
李炜; 蔡敏;
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作者单位

华南理工大学物理科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;线性集成电路、模拟集成电路;
关键词
互补金属氧化物半导体; 基准电流源; 低温漂; 低功耗;

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