半导体芯片化学机械抛光过程中材料去除机理研究进展

赵永武; 刘家浚

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半导体芯片化学机械抛光过程中材料去除机理研究进展

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就国内外关于集成电路芯片化学机械抛光(CMP)材料去除机理研究的现状和进展进行了评述,总结了集成电路芯片常用介电材料二氧化硅以及导电互连材料钨、铝及铜的化学机械抛光研究现状和进展,进而分析了化学机械抛光过程中化学作用同机械作用的协同效应,指出关于芯片化学机械抛光的材料去除机理尚存在争议,因此有必要在CMP研究领域引入原子力显微镜和电化学显微镜等先进分析测试设备和相关技术,以便在深入揭示CMP过程中材料去除机理的基础上,为更好地控制CMP过程和提高CMP效率提供科学依据.

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来源
《摩擦学学报》 |2004年第3期|283-287|共5页
作者
赵永武; 刘家浚;
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作者单位

江南大学机械电子系;

清华大学机械工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
芯片; 化学机械抛光(CMP); 材料去除机理; 化学-机械协同效应;

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