Si基上电沉积Cu薄膜的形貌与择优取向

张雅婷; 徐章程; 李菲晖

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Si基上电沉积Cu薄膜的形貌与择优取向

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采用电化学沉积技术在S i衬底上沉积了Cu膜。场发射扫描电镜和X射线衍射分析表明:膜中存在Cu纳米颗粒,并且表现出择优取向,与衬底的取向和斜切角度以及沉积电流密度有关。在S i(100)衬底上,铜(220)晶面的织构系数随电流密度的增加而增加。在相同沉积条件下,在斜切角较小的S i(111)和S i(100)衬底上择优取向面都是铜(220)面,而在斜切角为4°的S i(111)衬底上铜(111)晶面为择优取向面。

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来源
《人工晶体学报》 |2006年第4期|728-731|共4页
作者
张雅婷; 徐章程; 李菲晖;
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作者单位

南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室;

天津大学化学化工学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
Cu; 电沉积; Si衬底; 择优取向;

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