用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS结构的机理研究

林殷茵; 汤庭鳌

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分析了 MFIS FET的工作机理以及影响 MFIS电容的存储窗口特性的因素 ,提出用存储窗口与铁电薄膜正、负矫顽电压的差值来评价存储窗口特性 ,制备了 Au/Cr/PZT/Zr O2 /Si的 MFIS结构并研究了其存储窗口特性 ,存储窗口随 Zr O2 的厚度变化呈现一个极大值 ,甚至会出现 C-V曲线方向的变化 ,而 PZT薄膜的厚度增大会导致窗口增大 ,这是由于界面效应以及在铁电层和介质阻挡层上电压分配关系的不同而造成的 ,这一结果与前面的分析很好地吻合。当 Zr O2 和 PZT的厚度分别为 3 0 nm和 2 5 0 nm、扫描电压从 -5 V到 +5 V变化时 ,存储窗口大小为 2 .5 V,与相应的铁电薄膜的正、负矫顽电压的差值的比为 0 .8。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2003年第3期|323-328|共6页
作者
林殷茵; 汤庭鳌;
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作者单位

复旦大学微电子所ASIC和系统国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类存贮器;
关键词
铁电存储器; MFIS结构; 金属-铁电-绝缘层-半导体; 场效应晶体管; 非破坏性读出; 工作机理;

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