变温生长多晶硅对8 inch硅片几何参数影响

曲翔; 徐继平; 王海涛; 何宇; 王新; 杨凯; 王磊

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变温生长多晶硅对8 inch硅片几何参数影响

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摘要

随着硅片技术的不断发展,硅片背表面沉积多晶硅技术得到了广泛应用。在硅片背表面沉积多晶硅时,温度是其整个过程中最重要的控制参数。通过改变620℃与660℃沉积膜厚比例,测试不同膜厚比例的翘曲、弯曲、晶粒大小、洁净区深度等重要参数,并结合实际需求,确定了以先620℃沉积200 nm,再用660℃沉积600 nm的工艺。该工艺既能满足后道工序对于洁净区的要求,又能有效降低硅片的几何形变。

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来源
《人工晶体学报》 |2018年第7期|1474-1479|共6页
作者
曲翔; 徐继平; 王海涛; 何宇; 王新; 杨凯; 王磊;
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作者单位

有研半导体材料有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长;
关键词
多晶硅沉积; 弯曲; 翘曲;

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