一种低功耗高电源抑制比亚阈值基准电压源

杨艺丹; 赵梦恋; 刘胜; 董阳涛; 吴晓波

首页> 中文期刊> 《微电子学与计算机》 >一种低功耗高电源抑制比亚阈值基准电压源

一种低功耗高电源抑制比亚阈值基准电压源

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文针对传统带隙基准功耗高、电源抑制比低的问题,提出了一种适用于能量采集、无线传感网络等的低功耗、高电源抑制比和宽电源电压范围的亚阈值基准电压源.该基准源通过采用非对称共栅极自级联电流镜结构结合负反馈提高了电压源的电源抑制比和线性调整率.电路采用Global Foundry 0.18μm BCD工艺设计,仿真结果表明:基准电压源的电源电压范围为2.7~5.5V,输出电压为1.2V,功耗最低可达446.2nW;在3.3V电源电压下、-40~125°C的温度范围内,温度系数为30.3ppm;室温下线性调整率低至0.013%/V;在100 Hz处电源抑制比为-75dB.

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |2018年第8期|109-112|共5页
作者
杨艺丹; 赵梦恋; 刘胜; 董阳涛; 吴晓波;
展开▼
作者单位

浙江大学超大规模集成电路设计研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
低功耗; 高电源抑制比; 亚阈值; 共栅极自级联电流镜;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 一种低功耗高电源电压抑制比的基准电压源 [J] . 都文和 ,程秀娟 ,巩秋野 . 电子技术（上海） . 2021,第004期
2. 一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源 [J] . 汪宁 ,魏同立 . 微电子学 . 2004,第3期
3. 一种新颖的高电源抑制比亚阈值MOSFET电流基准源 [J] . 余国义 ,邹雪城 . 微电子学 . 2007,第1期
4. 一种超低功耗亚阈值型带隙基准电压源的设计 [J] . 刘利辉 . 探索科学 . 2020,第004期
5. 一种低功耗亚阈值全MOS管基准电压源的设计 [J] . 张涛 ,陈远龙 ,王影 . 电子元件与材料 . 2016,第005期
6. 一种新型的CMOS亚阈值超低功耗基准电压源 [C] . WU Gang ,吴刚 ,ZHOUZE Kun . 2014四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会 . 2014
7. 宽输入、高电源电压抑制的带隙基准电压源设计 [A] . 禹阔 . 2017

一种低功耗高电源抑制比亚阈值基准电压源

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅