四方品系晶体的Bridgman法生长的稳态数值模拟

张海斌; 沈定中; 任国浩; 邓群

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四方品系晶体的Bridgman法生长的稳态数值模拟

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本文对四方晶系晶体的Bridgman法生长进行了稳态数值模拟。当熔体的导热系数位于晶体横向导热系数和纵向导热系数中间的一小段时,将产生“W”形固液界面。通过比较,指出不同导热系数组合时晶体生长的难易。当熔体的导热系数位于晶体横向导热系数和纵向导热系数中间的一小段时,界面平坦,容易长出较好质量的晶体。对中、低级晶系的生长,晶体横向导热系数应大于纵向导热系数。

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来源
《人工晶体学报》 |2003年第5期|455-459|共5页
作者
张海斌; 沈定中; 任国浩; 邓群;
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作者单位

中国科学院上海硅酸盐研究所;

通用电器公司中国研发中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长;
关键词
四方晶系晶体; Bridgman法; 晶体生长; 稳态数值模拟; 导热系数;

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