超临界CO_2技术制备超细SiO_2的研究

丁涌; 宋丽贤; 宋英泽; 芦艾; 周玉丰

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超临界CO_2技术制备超细SiO_2的研究

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本文以水玻璃为硅源,利用超临界CO2(sc CO2)技术制备出超细SiO2粉体,研究了压力、温度对超细SiO2粒子粒径和Zeta电位的影响,采用Zeta电位及激光粒度分析仪、X射线衍射(XRD)、自动吸附仪等测试方法对粉体的结构和性能进行了分析表征。结果表明:当压力为8 MPa,温度为50℃时,所得超细SiO2粒子粒径分布较窄且平均粒径最小,为472.9 nm,且Zeta电位取得较小值,为-55.68 mV;所得超细SiO2粒子属于非晶态,且与市售的T36-5 SiO2粒子相比,其孔结构更加致密。

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来源
《人工晶体学报》 |2013年第8期|1712-1717|共6页
作者
丁涌; 宋丽贤; 宋英泽; 芦艾; 周玉丰;
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作者单位

四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地;

中国工程物理研究院化工材料研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化学动力学、催化作用;
关键词
超临界二氧化碳; 超细二氧化硅; 制备;

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