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分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格及结构、光学特性研究

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报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论计算相符。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |1993年第1期|30-34|共5页
作者
张允强; 高翔; 彭正夫; 孙娟; 蒋树声; 章灵军;
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作者单位

南京电子器件研究所;

南京大学固体微结构实验室;

上海红外物理国家实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
分子束外延; 超晶格; AIGaAs/GaAs;

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