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赵有文; 段满龙; 孙文荣; 杨子祥; 焦景华; 赵建群; 曹慧梅; 吕旭如;
中国科学院半导体研究所材料科学中心;
磷化铟; 单晶; 成晶率; 质量; 液封直拉法; 孪晶; 均匀性; 固液界面; 半导体材料;
机译:使用非晶模板层在各种非单晶衬底上外延生长磷化铟纳米线集合体
机译:微晶硅表面上磷化铟单晶纳米针的生长和表征
机译:非常规之字形磷化铟单晶和孪晶纳米线
机译:残余应变的定量光弹性表征LEC生长的磷化铟(100)晶圆
机译:磷化铟(100)的反射高能电子衍射研究以及在铟上的生长以及硅上氮化铟(100)的生长。
机译:非晶铟 - 镓 - 氧化锌膜质量与薄膜晶体管性能的相关性研究
机译:包括核子系列在内的第二部分物理学包括非晶,多晶和单晶的介电常数和电阻率的研究
机译:用新型磷前驱体制备磷化铟纳米晶的方法和用相同方法制备的磷化铟纳米晶的方法
机译:背面有磷化铟晶圆的晶圆,制造该晶圆的方法和蚀刻溶液
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