水热法合成Zn_(1-x)Ni_xO稀磁半导体

韦志仁; 李军; 刘超; 林琳; 郑一博; 葛世艳; 张华伟; 窦军红

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本文采用水热法,在温度430℃,填充度35%,矿化剂为3mol/L KOH,前驱物为添加适量N iC l2.6H2O的Zn(OH)2,反应时间24h,合成了Zn1-xN ixO稀磁半导体晶体。当在Zn(OH)2中添加一定量的N iC l2.6H2O为前驱物,水热反应产物为掺杂N i的多种形态ZnO混合晶体,对其个体较大的晶体中进行电子探针测量表明,前驱物中的添加量和晶体中实际掺入量有很大的差异,只有少量的N i离子掺入ZnO,最大N i原子分数含量为0.62%。采用超导量子干涉磁强计测量材料的磁性,发现在室温以下,晶体的磁化强度不随温度升高而下降。在室温下,存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,说明具有室温下的铁磁性。

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来源
《人工晶体学报》 |2006年第2期|244-247|共5页
作者
韦志仁; 李军; 刘超; 林琳; 郑一博; 葛世艳; 张华伟; 窦军红;
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作者单位

河北大学物理科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长理论;
关键词
氧化锌; 水热合成; 稀磁半导体;

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