一种新型的CMOS亚阈值低功耗基准电压源

孙宇; 肖立伊

首页> 中文期刊> 《微电子学与计算机》 >一种新型的CMOS亚阈值低功耗基准电压源

一种新型的CMOS亚阈值低功耗基准电压源

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

利用工作于亚阈值的NMOS器件,产生两个负温度系数的电压源,然后将两个电压源作差,产生稳定的基准电压输出.整体电路采用HJTCl80 nrn标准CM()S工艺实现.仿真结果表明,基准源输出电压为220 mV,在一25℃到100℃的温度范围内的温度系数为68×10^(-6)/ C.电路的最小供电电压可低至O.7 V,在供电电压O.7～4V范围内的线性调整率为1.5 mV/V.无滤波电容时,1 kHz的电源抑制比为-56 dB室温下,1.O V电压供电时,电路总体功耗为3.7μW.版图设计后的芯片核心面积为O.02 mm^2.本文设计的电压源适用于低电压低功耗的条件.

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |2012年第6期|51-56|共7页
作者
孙宇; 肖立伊;
展开▼
作者单位

哈尔滨工业大学微电子学与固体电子学中心;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
CMOS; 亚阈值; 低电压; 低功耗; 基准电压源;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 一种低功耗亚阈值CMOS带隙基准电压源 [J] . 邢小明 ,李建成 ,郑礼辉 . 微电子学与计算机 . 2015,第10期
2. 一种新型的基于pMOS和nMOS阈值电压差的CMOS电压基准源(英文) [J] . 孔明 ,郭健民 ,张科 . 半导体学报：英文版 . 2007,第10期
3. 一种低压低功耗的亚阈型CMOS基准电压源 [J] . 刘宇 ,王丹 . 电子技术应用 . 2011,第003期
4. 一种工作在亚阈值区的CMOS基准电压源设计 [J] . 王元发 ,魏全 ,傅兴华 . 微型机与应用 . 2013,第004期
5. 一种超低功耗亚阈值型带隙基准电压源的设计 [J] . 刘利辉 . 探索科学 . 2020,第004期
6. 一种新型的CMOS亚阈值超低功耗基准电压源 [C] . WU Gang ,吴刚 ,ZHOUZE Kun . 2014四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会 . 2014
7. 基于动态阈值低功耗CMOS基准电压源设计 [A] . 刘红霞 . 2006

一种新型的CMOS亚阈值低功耗基准电压源

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅