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万旭; 左然;
江苏大学能源与动力工程学院;
镇江212013;
MOCVD; AlN; 喷淋式反应器; 气相反应; 数值模拟;
机译:LPCVD反应器上的化学反应建模(第一个报告,多晶硅膜生长速率分布的数值模拟)
机译:管式电化学反应器中栅极对栅极的实验研究与数值模拟
机译:MOCVD反应器中碲化镉薄膜沉积过程和外延生长的数值模拟
机译:喷头MOCVD反应器中数值模拟的GaN薄膜生长操作优化
机译:晶格匹配InxAl 1-xN与GaN的Vegard定律的验证以及用于深紫外LED的AlxGa1-xN / AlN的MOCVD生长
机译:生长过程中的气相化学反应机理高温MOCVD中AlN的热力学研究
机译:用于UV光电探测器应用的GaN,alN和alGaN的mOCVD生长。
机译:大直径MOCVD反应器的喷淋头
机译:用于研究运行中的反应器中的化学反应的装置
机译:DLI-MOCVD工艺,用于制造电化学反应器的电极
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