MTM非晶硅反熔丝导通电阻

马金龙; 吴素贞

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MTM非晶硅反熔丝导通电阻

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分析了现场可编程门阵列(FPGA)和可编程存储器(PROM)中广泛使用的MTM(metal-to-metal)反熔丝结构,测量了决定FPGA和PROM传输延迟的反熔丝编程后导通电阻,给出了编程电流对导通电阻的决定规律.结合MTM非晶硅反熔丝的特征电压模型,确定了TiN/α-Si/TiN结构反熔丝的特征电压值.对大量样品的实际测量结果,并且对实验数据进行拟合,实验结果表明,实验特征电压值接近模型理论值,可通过控制编程电流对编程后电阻的进行调控.

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来源
《微电子学与计算机》 |2016年第9期|98-100|共4页
作者
马金龙; 吴素贞;
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作者单位

中国电子科技集团公司第五十八研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
电流编程; 导通电阻; MTM; 非晶硅; 反熔丝;

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