Ga掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备GZO薄膜光电性能的影响

王海林; 孙宜华; 莫观孔; 方亮; 王磊; 黄妞

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Ga掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备GZO薄膜光电性能的影响

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采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备掺镓氧化锌透明导电薄膜,用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、霍尔效应仪等测试分别表征GZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光电性能等,研究Ga掺杂量对GZO薄膜性能的影响。结果表明:所制备的GZO薄膜均为六方纤锌矿结构并有沿c轴择优生长趋势,随着Ga掺杂量的增加,薄膜透过率先增加再减小,当Ga掺杂量为4at%时透过率最高,可见光区平均透过率达97.4%,薄膜电阻率则随掺杂量增加而下降,在Ga掺杂量为5at%时达最小值7.62×10-3Ω·cm。

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来源
《人工晶体学报》 |2016年第3期|743-748|共6页
作者
王海林; 孙宜华; 莫观孔; 方亮; 王磊; 黄妞;
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作者单位

三峡大学材料与化工学院;

桂林理工大学广西新能源与建筑节能重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
溶胶-凝胶法; GZO薄膜; 透过率; 电阻率;

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