超声喷雾法制备In_2S_3薄膜及后续快速热处理对薄膜性能的影响

陈雄飞; 汪雷; 杨德仁

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超声喷雾法制备In_2S_3薄膜及后续快速热处理对薄膜性能的影响

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采用超声喷雾法制备了硫化铟（In2S3）薄膜，并考察了后续快速热处理（rapid thermal process，RTP）对硫化铟薄膜性能的影响。采用扫描电镜（SEM），X射线衍射（XRD）等手段对薄膜的形貌、结构、透射率等性质进行了表征。结果表明：超声喷雾法制备的In2S3薄膜均匀致密，采用RTP热处理可提高薄膜的结晶性能，但对薄膜的透光性影响较小。通过计算可以得出薄膜的禁带宽度约为2．25—2．38eV。

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来源
《人工晶体学报》 |2008年第5期|1069-1072|共4页
作者
陈雄飞; 汪雷; 杨德仁;
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作者单位

浙江大学材料科学与化学工程系硅材料国家重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
硫化铟; 快速热处理; 超声喷雾法;

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