首页> 中文期刊> 《微电子学》 >外延淀积过程中的自掺杂抑制

外延淀积过程中的自掺杂抑制

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

外延层杂质浓度是影响器件电学性能的重要参数。文章对外延淀积过程中自掺杂的产生过程进行了分析,提出了在外延淀积过程中可以通过改变气流、温度及采用背封技术、二步外延等方法来解决外延自掺杂,从而改善器件的特性参数。

著录项

来源
《微电子学》 |2003年第2期|118-120|共4页
作者
李智囊; 侯宇;
展开▼
作者单位

中国电子科技集团公司第二十四研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
外延淀积; 自掺杂抑制; 杂质浓度; 杂质扩散; 半导体器件;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 硅外延淀积过程中埋层图形漂移的测量 [J] . 衣贵诚 . 微电子学与计算机 . 1989,第6期
2. 重掺衬底对硅外延过程中系统自掺杂的影响 [J] . 杨帆 ,马梦杰 ,金龙 . 电子与封装 . 2020,第012期
3. 金属有机化合物汽相淀积技术制备布拉格反射镜确定外延厚度的方法 [J] . 盖红星 ,陈建新 ,邓军 . 光学精密工程 . 2006,第001期
4. 使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究 [J] . 秦琦 ,于乃森 ,郭丽伟 . 物理学报 . 2005,第011期
5. 采用高真空 /快速热处理 /化学气相淀积外延SiGe HBT结构(英文) [J] . 贾宏勇 ,林惠旺 ,陈培毅 . 半导体学报：英文版 . 2001,第3期
6. 紫外光辅助超高真空化学气相淀积低温外延生长SiGe/Si材料研究 [C] . 戴显英 ,胡辉勇 ,张鹤鸣 . 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 . 2003
7. 掺铒富硅二氧化硅的结构、电学及光学性质与钼（100）表面外延生长氧化镁（100）薄膜上淀积钯与水反应的研究 [A] . 徐飞 . 2004

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号