0.18μm工艺下单粒子加固锁存器的设计与仿真

李玉红; 赵元富; 岳素格; 梁国朕; 林任

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0.18μm工艺下单粒子加固锁存器的设计与仿真

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在近年国际上出现的两种记忆单元DICE(Dual Interlocked storagecell)和GDICE(DICE with guardgates)基础上,设计了两种抗单粒子加固锁存器,称为DICE锁存器和GDICE锁存器,加工工艺为0.18μm。对这两种锁存器的改进减少了晶体管数量,降低了功耗,增强了抗单粒子瞬态(single event transient,SET)能力。分别对比了两种锁存器的优缺点。建立了一种单粒子瞬态仿真模型,将该模型连接到锁存器的敏感点,仿真测试了这两种锁存器的抗单粒子翻转(single event upset,SEU)能力,得到一些对版图设计有意义的建议。通过比较得知:如果没有特殊版图设计,在单个敏感点被打翻时,DICE锁存器和GDICE锁存器的抗单粒子翻转能力比较强;而在两个敏感点同时被打翻时,抗单粒子翻转能力将比较弱。但如果考虑了特殊版图设计,那么这两种锁存器抗单粒子翻转的优秀能力就能体现出来。

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来源
《微电子学与计算机》 |2007年第12期|66-69|共4页
作者
李玉红; 赵元富; 岳素格; 梁国朕; 林任;
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作者单位

北京微电子技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
单粒子; 锁存器; 低功耗; 敏感点;

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