两个低开销抗单粒子翻转锁存器

王亮; 赵元富; 岳素格

首页> 中文期刊> 《微电子学与计算机》 >两个低开销抗单粒子翻转锁存器

两个低开销抗单粒子翻转锁存器

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

提出了两个抗单粒子翻转(SEU)的锁存器电路SEUT-A和SEUT-B。SEU的免疫性是通过将数据存放在不同的节点以及电路的恢复机制达到的。两个电路功能的实现都没有特殊的器件尺寸要求,所以都可以由小尺寸器件设计完成。提出的结构通过标准的0.18μm工艺设计实现并仿真。仿真结果表明两个电路都是SEU免疫的,而且都要比常规非加固的锁存器节省功耗。和传统的锁存电路相比,SEUT-A只多用了11%的器件数和6%的传输延时,而SEUT-B多用了56%的器件数,但获得了比传统电路快43%的速度。

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |2007年第12期|221-224|共4页
作者
王亮; 赵元富; 岳素格;
展开▼
作者单位

北京微电子技术研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
单粒子翻转; SEU; 锁存器; 辐射加固; CMOS; 设计加固;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 抗单粒子翻转的低功耗锁存器设计 [J] . 梁华国 ,李昕 ,王志 . 计算机辅助设计与图形学学报 . 2017,第008期
2. 32 nm CMOS工艺的单粒子多点翻转加固锁存器设计 [J] . 黄正峰 ,曹迪 ,崔建国 . 计算机辅助设计与图形学学报 . 2021,第003期
3. 单粒子四点翻转自恢复加固锁存器设计 [J] . 黄正峰 ,郭阳 ,李雪筠 . 计算机辅助设计与图形学学报 . 2021,第004期
4. 32nm CMOS工艺单粒子三点翻转自恢复锁存器设计 [J] . 黄正峰 ,郭阳 ,潘尚杰 . 计算机辅助设计与图形学学报 . 2020,第012期
5. 一种容忍单粒子双节点翻转的锁存器设计 [J] . 黄正峰 ,张阳阳 ,李雪健 . 合肥工业大学学报（自然科学版） . 2019,第004期
6. 一种抗单粒子翻转的D触发器 [C] . Lei FAN ,樊磊 ,王科 . 第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会 . 2012
7. 纳米级抗多节点翻转的CMOS锁存器设计研究 [A] . 张楠 . 2021

两个低开销抗单粒子翻转锁存器

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅