真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究

闫小兵; 张二鹏; 贾长江; 史守山; 娄建忠; 刘保亭

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采用射频磁控溅射技术在室温下玻璃衬底上制备了铟镓锌氧（In—Ga—Zn-O）透明导电薄膜，并对该薄膜进行了真空退火。研究了不同退火温度对In-Ga—Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响。X射线衍射（XRD）表明，在300℃至500℃退火温度范围内，In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构。随着退火温度的增加，薄膜的电阻率先减小后增大。透射光谱显示退火后In-Ga-Zn-O薄膜在500—800nm可见光区平均透过率超过80％，且在350nm附近表现出较强的紫外吸收特性。经过退火的薄膜光学禁带宽度随着退火温度的增加先增大后减小，350℃最大达到3．91eV。

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来源
《人工晶体学报》 |2013年第11期|2304-2308|共5页
作者
闫小兵; 张二鹏; 贾长江; 史守山; 娄建忠; 刘保亭;
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作者单位

河北大学电子信息工程学院;

河北大学物理科学与技术学院;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
In—Ga—Zn-O薄膜; 退火温度; 磁控溅射; 光学带隙;

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