高性能双栅复合介质ZnO薄膜晶体管的模拟

王昭; 姚阳; 钟传杰

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高性能双栅复合介质ZnO薄膜晶体管的模拟

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提出ZnO薄膜晶体管的一种新型结构——双栅复合介质结构,并利用ATLAS软件对双栅复合介质结构与双栅单介质结构进行仿真。对比分析结果表明,采用复合介质材料可以明显提高器件的电学特性,在相同偏置条件下,双栅复合介质结构饱和电流为5.5×10-5 A,阈值电压为5.83V,亚阈值斜率为0.128V/dec,开关电流比为109;双栅单介质结构相应值分别为1.3×10-7 A、15.5V、0.297V/dec和108。通过晶界势垒高度随VGS变化分析了新型结构阈值电压降低的物理机制。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2015年第2期|115-119|共5页
作者
王昭; 姚阳; 钟传杰;
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作者单位

江南大学物联网工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN321.5;TN325.3;
关键词
氧化锌薄膜晶体管; 双栅复合介质; 晶粒间界; 势垒高度;

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