一种900 V JTE结构VDMOS终端设计

石存明; 冯全源; 陈晓培

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垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Vertical Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field Transistor,VDMOS)是由Pbody与外延层之间形成的PN结承受电压,由于工艺限制,元胞区域只能设计为突变结,而终端区域最常用的结构为场限环,在原理上也相当于突变结耐压.结合结终端扩展(Junction Termination Extension,JTE)技术,引入缓变结耐压,设计了一款900V的终端结构,实现了992.0V的仿真击穿电压,终端效率达到了98.6%,而且有效终端长度仅有130.2μm,在较大程度上减小了芯片的占用面积,提高了击穿电压,而且工艺流程与成熟的深阱场限环基本一致,有较好的兼容性.

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来源
《微电子学与计算机》 |2016年第4期|129-132|共4页
作者
石存明; 冯全源; 陈晓培;
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作者单位

西南交通大学微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
终端; 结终端扩展; 缓变结; 击穿电压;

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