首页> 中文期刊> 《人工晶体学报》 >CdS纳米线分级结构薄膜的制备及光催化性能

CdS纳米线分级结构薄膜的制备及光催化性能

         

摘要

采用电沉积-溶剂热两步法制备了Cu基Cd S纳米线分级结构薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、能谱分析仪(EDS)、紫外-可见漫反射光谱(UV-vis-DRS)等对薄膜进行表征,探讨了Cd基Cd S纳米线的成核生长机制。结果显示:Cu基Cd微米片阵列与其表面生长的针状Cd S纳米线,构筑形成了多孔道的分级结构薄膜,改变溶剂热的时间、温度及硫源浓度,Cd S纳米线尺寸呈规律性变化。Cu基Cd S薄膜具有较好的光催化活性和稳定性,经5次光催化循环,罗丹明B(Rh B)降解率下降不明显。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号