基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究

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• 来源
  《固体电子学研究与进展》 |2014年第2期|184-187|共4页
• 作者

  蔡利康; 彭劲松; 高建峰;

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• 作者单位

  南京电子器件研究所;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 半导体器件制造工艺及设备;
• 关键词

  扫描式光刻机; 焦平面参数; 深紫外光刻; 图像倾斜参数;