低压环境中外加氩气流对激光沉积纳米硅晶粒尺寸及分布的影响

王英龙; 高建聪; 褚立志; 邓泽超; 丁学成; 傅广生

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低压环境中外加氩气流对激光沉积纳米硅晶粒尺寸及分布的影响

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采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在烧蚀点正上方0.35 cm、距靶0.7 cm处引入Ar气流,保持环境气压0.3 Pa,烧蚀高阻抗单晶硅(Si)靶。在烧蚀点正下方0.35 cm,距靶0.5 cm、0.7 cm、1.4 cm、2.1 cm、2.8 cm、3.0 cm和3.5cm处水平放置衬底来收集纳米Si晶粒。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、Raman散射对样品表面形貌和微观结构进行分析表征。结果表明:在引入气流前后,纳米Si晶粒的尺寸均随着与靶距离的增加而逐渐减小;在同一位置,引入气流比不引入气流晶粒尺寸小,面密度大;在3.0～3.5 cm处,不引入气流时的样品不再有纳米Si晶粒,而引入气流的还存在纳米Si晶粒。

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来源
《人工晶体学报》 |2012年第5期|1211-1215|共5页
作者
王英龙; 高建聪; 褚立志; 邓泽超; 丁学成; 傅广生;
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作者单位

河北大学物理科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
脉冲激光烧蚀; 纳米Si晶粒; 尺寸;

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