MEMS用Si台面及SiO_2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长(英文)

孙国胜; 王雷; 巩全成; 高欣; 刘兴日方; 曾一平; 李晋闽

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本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-S iC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-S iC和S iO2之间没有明显的坑洞形成。

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来源
《人工晶体学报》 |2005年第6期|982-985|共5页
作者
孙国胜; 王雷; 巩全成; 高欣; 刘兴日方; 曾一平; 李晋闽;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
3C—SiC; LPCVD生长; Si台面; SiO2/Si;

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