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贲建伟; 孙晓娟; 蒋科; 陈洋; 石芝铭; 臧行; 张山丽; 黎大兵; 吕威;
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
长春130033;
中国科学院大学;
材料与光电研究中心;
北京100049;
长春工业大学;
长春130012;
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室;
AlGaN基材料; 外延生长; 掺杂; 紫外发光器件; 紫外探测;
机译:用于测量宽禁带半导体材料发射光谱的装置
机译:半导体光催化剂,用于掺杂剂改性的宽禁带半导体的可见光吸收
机译:各向异性有效质量近似模型,用于计算宽禁带半导体表面上的多个子带结构:在SrTiO3和ZnO累积层中的应用
机译:S4-P1:用于电力电子应用的宽禁带隙半导体器件
机译:宽 禁带半导体 基础的 电源转换器 的可靠性 和 拓扑 调查
机译:具有偶极子禁带跃迁的半导体生物激发的带边激光作用
机译:(Zn,Mg,Be)O宽禁带半导体合金的带隙弯曲和p型掺杂:第一性原理研究
机译:III-V半导体量子阱激光器及相关光电器件(Onsilicon)。氧化物定义的半导体量子阱激光器和光电器件:al基III-V天然氧化物
机译:宽禁带半导体带隙电子性能测量方法和宽禁带半导体带隙电子性能测量装置
机译:利用宽禁带半导体材料的光电池
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