AlGaN量子结构及其紫外光源应用

李金钗; 高娜; 林伟; 蔡端俊; 黄凯; 李书平; 康俊勇

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AlGaN量子结构及其紫外光源应用

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AlGaN量子结构是实现高光效、高稳定紫外固态光源的核心。近年来,AlGaN半导体材料及其紫外光源应用研究取得了较大的进展。然而,AlGaN材料的生长制备只能在非平衡条件下完成,涉及的生长动力学问题十分复杂,制约了量子阱等结构品质的提高;材料带隙宽,p型掺杂难度大,激活效率低,限制了载流子注入;光学各向异性显著,不利于光从器件正面出射。因此,AlGaN基紫外、特别是深紫外波段器件性能还有待提高。本文梳理了AlGaN量子结构与紫外光源效率之间的关系,详细阐述和总结了有源区量子结构、p型掺杂量子结构以及光学各向异性调控等方面所面临的挑战及近年来的重要研究进展。

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来源
《人工晶体学报》 |2020年第11期|2068-2078|共11页
作者
李金钗; 高娜; 林伟; 蔡端俊; 黄凯; 李书平; 康俊勇;
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作者单位

厦门大学物理学系;

微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心;

半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心;

福建省半导体材料及应用重点实验室;

厦门361005;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长;半导体量子理论;
关键词
AlGaN; 量子结构; 紫外光源;

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