一款抗单粒子瞬态加固的偏置电路

韩本光; 曹琛; 吴龙胜; 刘佑宝

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一款抗单粒子瞬态加固的偏置电路

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通过增加一个NMOP、PMOS和一个电阻组成的单粒子瞬态抑制电路,设计了一种新的抗单粒子瞬态加固的偏置电路,该偏置电路具有较高抗单粒子瞬态能力.为了证实其抗单粒子能力,基于SIMC 130nm CMOS工艺设计了传统的及提出的抗单粒子瞬态两种结构的偏置电路.仿真结果表明,对于提出的加固偏置电路,由单粒子引起的瞬态电压和电流的变化幅值分别减小了约80.6%和81.2%;同时增加的单粒子瞬态抑制电路在正常工作状态下不消耗额外功耗,且所占用的芯片面积小,也没有引入额外的单粒子敏感结点.

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来源
《北京理工大学学报》 |2013年第2期|190-194|共5页
作者
韩本光; 曹琛; 吴龙胜; 刘佑宝;
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作者单位

西安微电子技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
抗辐射设计加固; 单粒子瞬态; 辐射效应; 偏置电路; 线性能量传输(LET);

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