IB族金属掺杂单层MoS_2电子结构的研究

伏春平; 孙凌涛

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IB族金属掺杂单层MoS_2电子结构的研究

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本文基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用数值基组研究了IB族金属Cu,Ag,Au掺杂单层MoS_2的键长畸变、稳定性、能带结构和态密度。探讨了Cu,Ag,Au掺杂对单层MoS_2电子结构的影响;结果表明:Cu,Ag,Au在Mo位掺杂都会导致杂质原子附近的键长发生畸变,但畸变程度略有差异,Cu掺杂体系的稳定性强于Ag,Au在Mo位掺杂的体系;Cu,Ag,Au掺杂致使单层MoS_2的禁带中出现新能级;Cu,Ag,Au在S位吸附的稳定性强于Mo位吸附,对于MoS_2在S位吸附Cu,Ag,Au对其禁带的宽度影响较小;但稳定性最强的都是Au元素的吸附体系。

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来源
《人工晶体学报》 |2018年第3期|658-663|共6页
作者
伏春平; 孙凌涛;
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作者单位

重庆文理学院物理系;

重庆市高校新型储能器件及应用工程研究中心;

重庆市高校微纳米材料工程与技术重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类凝聚态物理学;
关键词
MOS2; 电子结构; 能带结构; IB族金属;

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