基于SOI-SONOS存储器的高速辐照加固灵敏放大器设计

李侃; 伍冬; 王雪强; 谯凤英; 邓宁; 潘立阳

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基于SOI-SONOS存储器的高速辐照加固灵敏放大器设计

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总剂量辐照下,存储单元和MOS管阈值电压均会发生漂移,引起灵敏放大器性能退化.基于0.6μmSOI工艺,设计了一种用于SONOSEEPROM存储器中的高速、辐照加固的新型灵敏放大器.该电路中采样反相器和参考支路采用电路补偿技术,以达到抗辐照效果.双支路预充技术用于提高读取速度.仿真结果表明灵敏放大器中采样反相器噪声容限,以及参考电流基本不受辐照引起的阈值电压漂移的影响.此外,辐照后新型灵敏放大器电路延迟时间仅为9.16ns,与传统单支路预充结构相比,延迟时间缩短27%.

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来源
《微电子学与计算机》 |2010年第5期|22-26|共6页
作者
李侃; 伍冬; 王雪强; 谯凤英; 邓宁; 潘立阳;
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作者单位

清华大学微电子学研究所;

清华大学信息科学技术国家实验室;

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正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
SONOS; 灵敏放大器; 高速; 总剂量辐照; 辐照加固;

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