一种降低RAM测试复杂性的新方法

朱恒静

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一种降低RAM测试复杂性的新方法

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本文给出了一种 I_(DDQ)测试技术和传统的走步测试相结合的 RAM测试方法。采用 I_(DDQ)测试技术可以减少 RAM测试的成本,但由于 RAM结构和使用上的限制,只采用 I_(DDQ)测试其故障检测能力不够高。在常规 RAM测试的基础上增加 I_(DDQ)测试是一个很好的解决方案。RAM阵列中的桥接故障、栅氧短路故障,可以用 I_(DDQ)覆盖。I_(DDQ)测试与走步测试相结合可以测试开路、数据滞留等不能仅仅由 I_(DDQ)技术测试的故障。对于一个给定的 SRAM故障模型,此方法可以减少测试的复杂性,测试复杂程度从16n(n为 RAM的地址数)减少到 5n+4。

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来源
《国外电子测量技术》 |2000年第5期|16-20|共6页
作者
朱恒静;
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作者单位

航天511所可靠性中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP333.806;
关键词
故障模型; IDDQ测试; 测试复杂性; RAM;

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