六方氮化硼成核层减小MOCVD外延生长氮化铝薄膜的应力及裂纹(英文)

著录项

• 来源
  《光子学报》 |2017年第11期|56-61|共6页
• 作者

  吴清清; 闫建昌; 张亮; 陈翔; 魏同波; 李杨; 刘志强; 魏学成; 王军喜; 李晋闽;

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• 作者单位

  中国科学院半导体研究所照明研发中心;

  北京100083;

  中国科学院大学;

  北京100049;

  北京第三代半导体材料与应用工程技术研究中心;

  北京100083;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 化合物半导体;
• 关键词

  AlN薄膜; 六方氮化硼; MOCVD; 缺陷; 应力;