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宽带隙半导体材料SiC研究进展及其应用

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摘要

SiC是第 3代宽带隙半导体的核心材料之一 ,具有极为优良的物理化学性能 ,应用前景十分广阔 .本文综合介绍SiC的基本特性 ,材料的生长技术 (包括体单晶生长和薄膜外延生长技术 ) ,SiC基器件的研发现状 ,应用领域及发展前景 .同时还介绍了作者用脉冲激光淀积法在Si衬底上制备出单晶 4H

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来源
《硅酸盐学报》 |2002年第3期|372-381|共10页
作者
王玉霞; 何海平; 汤洪高;
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作者单位

中国科学技术大学材料科学与工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.24;
关键词
宽带隙半导体材料; SiC; 应用; 碳化硅; 体单晶生长; 薄膜; 半导体器件;

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