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吴晓松; 褚学宁; 李玉鹏;
上海交通大学机械与动力工程学院;
PECVD; 氮化硅薄膜; 正交试验; 工艺参数;
机译:RF PECVD法沉积氮化硅和DLC薄膜的硬度研究
机译:用PECVD法低温形成栅隔离层氮化硅薄膜的低温工艺
机译:微波PECVD碳氮化硅薄膜:FTIR和椭圆孔率法研究
机译:定位灵敏度最小化氮化硅薄膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)中的工艺输入:基于神经网络的方法
机译:氢在PECVD沉积的氮化硅薄膜中的重新分布。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:pECVD氮化硅沉积法作为mIm电容器介质对Gaas HBT工艺的影响
机译:用于研究仪器的pECVD(等离子体增强化学气相沉积)金刚石薄膜
机译:具有膜的传感器的生产包括通过LPCVD或PECVD工艺在硅衬底的表面上沉积氮化硅层,以及从衬底的底侧蚀刻凹槽。
机译:化学气相沉积法在大面积玻璃基板上高沉积速度沉积氮化硅薄膜的方法
机译:感应耦合化学气相沉积法,非晶硅薄膜,氮化硅薄膜和使用瑟勒夫制成的非晶薄膜晶体管
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