掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究(英文)

邓文; 祝莹莹; 周银娥; 黄宇阳; 曹名洲; 熊良钺

首页> 中文期刊> 《稀有金属材料与工程》 >掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究(英文)

掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究(英文)

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

测量了Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti,Al,Ag,V金属的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度。TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关。在富Ti的TiAl合金中加入V,V原子比Al和Ti原子能提供较多的自由电子参与形成金属键,因而提高了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度;在TiAl合金中加入Ag也有类似的效应。在TiAl合金中加入V和Ag,有利于提高合金的韧性。

著录项

来源
《稀有金属材料与工程》 |2006年第3期|348-351|共4页
作者
邓文; 祝莹莹; 周银娥; 黄宇阳; 曹名洲; 熊良钺;
展开▼
作者单位

广西大学;

中国科学院金属研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类轻有色金属及其合金;
关键词
TiAl合金; 电子密度; 缺陷; 正电子湮没;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. NiTi形状记忆合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究 [J] . 胡益丰 ,沈大华 ,邓文 . 稀有金属材料与工程 . 2009,第1期
2. 用正电子湮没技术研究低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度 [J] . 吴伟明 ,蒋晓军 . 核技术 . 1996,第003期
3. 用正电子湮没技术研究Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响 [J] . 祝莹莹 ,邓文 ,孙顺平 . 稀有金属材料与工程 . 2009,第2期
4. 用正电子湮没技术研究不同化学成分的二元TiAl合金中的微观缺陷 [J] . 邓文 ,钟夏平 ,黄宇阳 . 核技术 . 2002,第008期
5. 正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应 [J] . 张兰芝 ,王宝义 ,王丹妮 . 金属学报 . 2007,第3期
6. 用正电子湮没技术研究Zr和Nb在TiAl合金中的行为 [C] . 吴伟明 ,黄宇阳 ,邓文 . 全国第七届正电子湮没学术会议 . 1999
7. 用正电子湮没技术研究TiAl合金中3p-3d电子的相互作用 [A] . 祝莹莹 . 2005

掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究(英文)

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅