C-N化合物合成研究

谢二庆; 金运范; 王志光; 贺德衍

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用能量 50 - 1 1 0 ke V的 N离子在低于 80°C温度下注入 CVD法合成的金刚石薄膜后 ,分别用 X射线光电子谱、红外谱和拉曼谱检测注入后的薄膜中是否形成了 C- N化合物 .结果表明注入后的薄膜中存在有 3种化学键态的 C- N化合物 ,且低能离子注入更有利于 C- N化合物的形成 .由于在注入区内形成了大量的 C- N单键 ,这有利于β- C3N4 的合成 .对 C-

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来源
《原子核物理评论》 |2000年第3期|171-174|共4页
作者
谢二庆; 金运范; 王志光; 贺德衍;
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作者单位

中国科学院近代物理研究所;

兰州大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;非金属元素及其化合物;
关键词
离子注入; 金刚石薄膜; 碳氮化合物;

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