CdTe和CdZnTe电子结构及成键机理的第一性原理研究

曾冬梅; 孟捷; 慕银银; 刘伟光; 吴本泽; 庄光程

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CdTe和CdZnTe电子结构及成键机理的第一性原理研究

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采用基于密度泛函理论的CASTEP程序软件包,计算了CdTe和CdZnTe的能带结构和态密度,研究对比了CdTe和CdZnTe的分子内成键机制。结果表明,在CdZnTe中,Cd e_g和Te 5s杂化形成较低的价带,Zn t_(2g)和Te 5_(p_z)杂化形成的π键等构成中间价带,Zn 4s和Te 5_(p_z)杂化形成的σ键等构成导带。Cd 5s和Te 5s不再杂化,导带底向高能级方向移动。

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来源
《人工晶体学报》 |2016年第1期|224-228|共5页
作者
曾冬梅; 孟捷; 慕银银; 刘伟光; 吴本泽; 庄光程;
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作者单位

北京石油化工学院材料科学与工程学院;

北京化工大学材料科学与工程学院;

北京理工大学光电学院;

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正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
Cd; Te; Cd; Zn; Te; 能带结构; 态密度; 电子结构;

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