超声振动条件下碳化硅抛光过程的分子动力学模拟

翟文杰; 杨德重; 宫娜

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超声振动条件下碳化硅抛光过程的分子动力学模拟

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为了深入探讨在超声振动条件下立方碳化硅化学机械抛光过程中原子层面的材料去除机制,利用分子动力学方法建立碳化硅原子模型,以分析超声振动对刻划加工过程中碳化硅的晶体结构、温度、法向力和切向力的影响规律,并分析了超声振动频率对化学机械抛光质量及材料去除率的影响.结果表明:在刻划加工过程中碳化硅的局部出现了非晶态变化;超声振动的引入将大幅降低磨粒所受平均切向力和平均法向力,从而有利于刻划加工的进行及其表面质量的提高;在给定的模拟参数条件下,80GHz的超声振动频率最有利于提高材料去除率和加工表面质量,即当振动频率超过一定值后,超声振动对材料去除率和表面质量的影响不大.

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来源
《上海交通大学学报》 |2018年第5期|599-603|共5页
作者
翟文杰; 杨德重; 宫娜;
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作者单位

哈尔滨工业大学机电工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类表面处理;
关键词
碳化硅; 刻划; 超声振动; 分子动力学方法;

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