铌酸锂衬底上磁控溅射ITO薄膜及其光电性质研究

柯笑晗; 陈云琳; 朱亚彬; 范天伟

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铌酸锂衬底上磁控溅射ITO薄膜及其光电性质研究

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在铌酸锂(LN)晶体衬底上磁控溅射铟锡氧化物(ITO)薄膜,研究了射频磁控溅射制备ITO/LN薄膜的最佳工艺。采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)分析了透明导电ITO膜的制备工艺参数对薄膜表面形貌和晶体结构的影响,同时应用四探针电阻率测量和紫外可见光谱测量技术对所研制的ITO/LN膜的光电性质进行了研究。结果表明,衬底温度为320℃,溅射时间50 min时制备的ITO/LN薄膜具有最佳光电性质,在该条件制备出薄膜的电阻率为3.41×10-4Ω·cm,ITO/LN平均可见光透光率可达74.38%,平均透光率比LN衬底提高了1.1%。应用该溅射条件制备了泰伯效应位相阵列器,其近场衍射成像的相对光强可达0.67。

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来源
《人工晶体学报》 |2015年第2期|368-373|共6页
作者
柯笑晗; 陈云琳; 朱亚彬; 范天伟;
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作者单位

北京交通大学理学院微纳材料及应用研究所;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
ITO薄膜; 铌酸锂; 磁控溅射; 光电性质;

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