掺HCl栅氧化对MOS结构电特性的影响

严荣良; 张国强; 任迪远; 赵元富

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掺HCl栅氧化对MOS结构电特性的影响

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研究了栅氧化时掺ＨＣｌ的硅栅ＭＯＳＦＥＴ的ＤＤＳ－ＶＧＳ特性、阈电压和界面态．结果发现，ＨＣｌ掺入栅介质，可使ＩＤＳ－ＶＧＳ曲线正向漂移，ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压绝对值减小，ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压增大，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度下降。采用氯的负电中心和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。

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来源
《微电子学与计算机》 |1994年第1期|49-51|共3页
作者
严荣良; 张国强; 任迪远; 赵元富;
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作者单位

中科院新疆物理所;

西安微电子技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN386.053;
关键词
掺杂; 氯化氢; MOS结构; 电特性;

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