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李翠云; 朱华;
南昌大学材料科学研究所;
MOCVD; 干涉曲线; 反射率; 粗糙度;
机译:通过HVPE生长比较在MOCVD-GaN / Al_2O_3和MOCVD-GaN / SiC样品上生长的GaN薄膜的应变
机译:通过远程等离子体MOCVD进行的GaN异质外延:通过激光反射干涉仪实时监控
机译:MBE和MOCVD生长的外延GaN薄膜的比较电子光谱分析
机译:MOCVD使用新型单型前体的MOCVD生长六边形GaN薄膜
机译:通过新颖的衬底改性技术在GaN上进行GaN的MOCVD生长。
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:MoCVD在独立GaN模板上生长的GaN和Inxga1-XN薄膜的微观结构
机译:在独立式GaN模板上通过mOCVD生长GaN和In(x)Ga(1-x)N薄膜的微结构
机译:MOCVD生长MG掺杂的GAN半导体薄膜的P型活化等离子退火方法
机译:表皮生长基质,生产GAN基半导体薄膜的过程,GAN基半导体薄膜,生产GAN基半导体发光元素的过程以及GAN基半导体发光元素的过程
机译:GaN单晶,GaN薄膜薄膜基体和GaN单晶生长装置的生产方法
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