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张而耕; 牛帅; 陈强; 潘文高; 李朝阳;
上海应用技术大学上海物理气相沉积(PVD)超硬涂层及装备工程技术研究中心;
上海201418;
上海离原环境科技有限公司;
上海200241;
Cu-DLC; 第一性原理; 应力降低; 径向分布函数; 残余应力; 键长; 键角;
机译:通过第一性原理研究高硫掺杂类金刚石碳膜在高真空下的摩擦性能
机译:掺硼和氮的纳米金刚石的第一性原理研究
机译:通过第一性原理研究掺B金刚石表面的金属性
机译:ZnS缓冲层化学浴沉积过程中Cu_2ZnSnS_4和Cu_2ZnSnSe_4中锌掺杂的第一性原理研究
机译:用拉曼显微镜表征掺硼金刚石薄膜中的内部应力。
机译:水分对Cu离子在Cu / Ta2O5 / Pt和Cu / SiO2 / Pt电阻开关中扩散的影响:第一性原理研究
机译:从头算计算减少Cu掺杂类金刚石碳膜的应力
机译:金刚石中(pi)键合(100)平面缺陷的第一性原理研究
机译:导电掺杂类金刚石纳米复合薄膜的制备方法和导电掺杂类金刚石纳米复合薄膜
机译:掺硼金刚石薄膜的形成方法,由此制得的掺硼金刚石非沉积成员和用于同一目的的混合薄膜沉积装置
机译:可显着降低电子发射电压的掺磷金刚石薄膜,其制备方法和使用该薄膜的电子源
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