硅纳米结点电子输运性质的计算

柳福提; 程艳; 羊富彬; 程晓洪; 陈向荣

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硅纳米结点电子输运性质的计算

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运用第一性原理密度泛函理论结合非平衡格林函数方法,对3个Si原子构成的直线链耦合在Au(100)面形成的三明治结构的纳米结点的电子输运进行计算.结果得到结点电导随距离的变化,当d z=1.584 nm时,结合能最小,结构最稳定,此时Si-Si键长为0.216 nm,Si-Au键长为0.227 nm,电导为0.729 G0(G0=2e2/h),其电子传输通道主要由Si原子的p x、p y轨道电子构成;随着外电压的增大,结点的电导减小,而其I-V曲线表现出线性特征.

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来源
《计算物理》 |2013年第6期|943-948|共6页
作者
柳福提; 程艳; 羊富彬; 程晓洪; 陈向荣;
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作者单位

宜宾学院物理与电子工程学院;

四川大学物理科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类介观物理;凝聚态物理学;
关键词
密度泛函理论; 非平衡格林函数; 硅纳米结点; 电子输运;

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