发射区复合对AlGaAs/GaAs HBT特性的影响

周文益; 许军; 刘佑宝; 黄敞

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发射区复合对AlGaAs/GaAs HBT特性的影响

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采用将发射区体内复合及表面复合归一化为载流子寿命变化的方法,用一维模拟程序,能简便地研究发射区复合对AlGaAs/GaAl HBT(异质结双极晶体管)特性的影响。计算结果表明,发射区载流子寿命的变化几乎不影响注入到基区的电子电流,但却成反比例地影响基区空穴电流.由于降低寿命增大了空穴复合电流,从而降低了HBT的电流增益.

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来源
《微电子学与计算机》 |1993年第10期|44-46|共4页
作者
周文益; 许军; 刘佑宝; 黄敞;
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作者单位

骊山微电子学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
双极性晶体管; 发射区; 特性; HBT;

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