La和Sr的掺杂对PZT薄膜电学性质的影响

李伟; 郑伟; 丁长路; 张宏宇

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La和Sr的掺杂对PZT薄膜电学性质的影响

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该文采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了掺杂La元素的Pb1-0.05La0.05ZrTiO3(PLZT)、掺杂Sr元素的Pb1-0.05Sr0.05ZrTiO3(PSZT)、掺杂La和Sr元素的Pb1-0.1La0.05Sr0.05ZrTiO3(PLSZT)及未掺杂的锆钛酸铅(PZT)薄膜样品。对不同掺杂情况的样品分别进行了压电系数、电滞回线、介电特性的测试。结果表明,双掺杂样品PLSZT薄膜具有比其他样品更好的铁电性能,其剩余极化强度(Pr)为13.2μC/cm^2,饱和极化强度(Ps)为28.4μC/cm^2,矫顽场(Ec)为54.8kV/cm;双掺杂样品PLSZT薄膜的压电系数(d33)比其他3种样品高,达到153pC/N。掺杂后的样品与未掺杂的样品相比,其介电常数有略微提高;单掺杂La的样品的介电特性在高频环境下更稳定。

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来源
《压电与声光》 |2019年第4期|513-516|共4页
作者
李伟; 郑伟; 丁长路; 张宏宇;
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作者单位

重庆大学新型微纳米器件和系统技术重点学科实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类铁电及压电器件;
关键词
PZT薄膜; La和Sr掺杂; 铁电性; 介电性; 压电性;

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