红外LED用掺硅HB-GaAs单晶纵向载流子浓度分布研究

马英俊; 林泉; 于洪国; 马会超; 许兴; 李万朋; 许所成

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GaAs单晶作为一种重要的LED衬底材料在光电器件中应用十分广泛,但载流子浓度(C.C.)分布不均、杂质浓度过高等缺陷会严重影响相关器件的性能。为制备纵向载流子浓度分布均匀的掺硅HB-GaAs单晶,本文探讨了单晶生长过程中熔区长度对纵向载流子浓度分布的影响。以高纯GaAs多晶为原料,设定不同的拉晶温度曲线,采用窄熔区技术进行晶体生长研究,最终生长出C.C.值分布更均匀、位错密度低(EPD≤10000 cm^-2)的向N型掺硅GaAs单晶。利用辉光放电质谱法(GDMS)和范德堡法霍尔效应测试对晶体进行了表征,单晶纯度达到5N且无硼杂质沾污。

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来源
《人工晶体学报》 |2020年第8期|1555-1561|共7页
作者
马英俊; 林泉; 于洪国; 马会超; 许兴; 李万朋; 许所成;
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作者单位

有研光电新材料有限责任公司;

廊坊065001;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长;
关键词
砷化镓; 水平布里奇曼法; 位错密度; 熔区长度; 窄熔区技术; 载流子浓度分布;

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