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机译：半导体器件包括至少一个沟道区，该沟道区由具有供应区和漏极区的沟道区连接，该控制区具有与供应区的导电类型相反的漏极区和沟道区，该半导体本体包括具有供应区和漏极区的半导体本体，该沟道区至少由沟道区连接。

机译：半导体器件包括至少一个沟道区，该沟道区由具有供应区和漏极区的沟道区连接，该控制区具有与供应区的导电类型相反的漏极区和沟道区，该半导体本体包括具有供应区和漏极区的半导体本体，该沟道区至少由沟道区连接。