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王明阳; 王和春; 胡斯登; 李起阳; 杨仕友; 曲绍兴; 何湘宁;
浙江大学电气工程学院 浙江杭州310027;
国家电网江西省电力有限公司 江西南昌330029;
浙江大学航空航天学院 浙江杭州310027;
PiN二极管; 反向恢复; 场路耦合; 半导体器件建模;
机译:硅PIN二极管反向恢复特性的数值模拟
机译:4H-SiC PiN二极管的高电压和快速开关反向恢复特性
机译:PiN二极管反向恢复的开关能量的精确分析模型
机译:改进的动态特性600V PiN二极管,具有凹入阳极和双面肖特基触点,可实现快速反向恢复
机译:在区域熔化的重结晶绝缘体上硅结构中制造的侧向取向Pin二极管的特性,该结构包含完整的粘弹性应力释放层。
机译:具有超越1D限制的RSP-BV折衷和卓越的反向恢复特性的新型功率MOSFET
机译:铁路脉冲电源电路中晶闸管和二极管反向恢复的建模与分析。
机译:用于抑制电压波动而不会产生不利影响的半导体组件结构采用了具有PN过渡,高转换电压和快速反向恢复特性的二极管。
机译:具有高耐用性和低电阻的低电压双阱MOS器件,改善了主要二极管的反向恢复特性
机译:利用二极管反向恢复特性的谐振型转换器
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