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王浩南; 赖耀康; 张宏宇; 曹玉峰; 叶雪荣; 翟国富;
哈尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所 黑龙江哈尔滨150001;
北京科通电子继电器总厂有限公司 北京100176;
SSPC; 寄生参数; 电学等效模型; SiC MOSFET; 开关特性;
机译:在软击穿状态下基于Al 2 inf> O 3 inf>-和HfO 2 inf>的存储单元的双极阻性开关特性
机译:基于Strukov非线性模型的忆阻结构分析与参数提取
机译:Ti-CuO /(六氟-六-per /-六苯并二茂铁)-Cu杂化界面器件的双极阻性开关特性:有机层电子性质的影响
机译:具有MIS(金属-绝缘体-硅)结构的基于Si3N4的RRAM中的双极阻性开关特性
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机译:阻性负载上运动时呼吸吸气功和功率的影响
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机译:非功能性评价参数提取装置,非功能性评价参数提取方法以及非功能性评价参数提取程序
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